SK海力士开发出业界最高带宽的HBM2E DRAM产品,公布新产品规划

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8月12日消息,SK海力士公司今天表态,它已开发出具有业界最高下行传输速率 的HBM2E DRAM产品。与前一天的HBM2相比,新款HBM2E至少提升3000%的下行传输速率 和3000%的容量。SK海力士尚未表态更多的HBM2E内存信息。

SK海力士的HBM2E每个针脚传输下行传输速率 为3.6Gbps,搭配1024-bit位宽的话还需用提供超过4300GB/s的超高下行传输速率 ,无可反衬。

AMD Radeon VII显卡原本率先实现1TB/s的显存下行传输速率 ,但应用了4096-bit的位宽,可能性加带HBM2E总下行传输速率 还需用轻松超过1.8TB/s。

同时得益于TSV硅通孔技术,HBM2E内存还需用最多垂直堆叠八颗16Gb芯片,单颗封装总容量但会 可达16GB,是目前的两倍。

SK海力士表示,超高下行传输速率 的HBM2E可用于工业4.0、高端GPU显卡、超级计算机、机器学习、AI人工智能等各种尖端领域。

但会 不同于传统DRAM需用单独封装、占用主板面积,HBM系列还需用与GPU芯片、逻辑芯片等整合封放到 同时,彼此距离还需用做到仅仅有几个微米,大大节省整体面积,还可不可以保证调快的数据传输。

哦对了,SK海力士是第另三个 多搞定HBM的,时间是2013年。

SK海力士未透露HBM2E哪年量产出货,看样子需用等一段时间。

GPU芯片左右两侧四颗芯片就说 HBM

HBM2E基于每个Pin针3.6Gbps的下行传输速率 性能以及1,024 数据的IOPs,所支持的下行传输速率 达每秒4300GB。通过TSV技术,最多还需用垂直堆叠8个16Gb的芯片,形成密度为16GB的单封装芯片。

HBM事业部负责人Jun-Hyun Chun表示,“自从2013年首款HBM发布以来,SK海力士就建立起了业内领先地位,SK海力士计划在2020年大规模量产HBM2E芯片,并继续加强在该领域的领先地位。”

韩国与日本的贸易摩擦使得全球的半导体存储变数不断增大,希望以海力士为首的韩系厂商能狗保证产能稳定全球的科技产业链,补救前一天的恶意涨价疑问报告 冒出。

SK海力士的HBM2E内存,其每个针脚传输下行传输速率 为3.6Gbps,搭配1024-bit位宽,支持提供超过4300GB/s的超高下行传输速率 ,无可反衬。同时,通过利用TSV(硅通孔)技术,最多可垂直堆叠8个16千兆位芯片,形成16GB数据容量的单个密集封装。

SK海力士的HBM2E是第六个工业时代的最佳内存补救方案,支持需用最高内存性能的高端GPU,超级计算机,机器学习和人工智能系统等各种尖端领域。与采用模块封装形式并安放到 系统板上的传统DRAM产品不同,HBM芯片还需用与GPU和逻辑芯片等补救器紧密互连,间距仅为几微米,可实现调快的数据传输。

AMD目前最强的Radeon VII显卡用的就说 16GB HBM2显存,拥有1TB/s下行传输速率 的下行传输速率 ,还需用给有些专业应用提供了便利,有点硬是高分辨率的4K、8K创作、渲染等工作;而NVIDIA CEO黄仁勋在采访中表示HBM2显存太贵,相比之下他还是更喜欢GDDR6显存。在NVIDIA的显卡中,面向专业市场的Tesla V3000等高价显卡也使用了32GB HBM2显存,消费级的有Titan V显卡,使用了12GB HBM2显存,不过现在的图灵GPU使用的就说 GDDR6显存了。目前,SK海力士尚未透露HBM2E内存还需用量产出货。

三星电子在三月份也发布了自家的HBM2E内存,将传输下行传输速率 从2.4Gbps提升到3.2Gbps,提升幅度达到33%。同时每芯片的容量提升了两倍,达到16GB。同样,尚未可知工作电压和量产时间。

目前,两大韩系NAND Flash厂商──三星及SK海力士可能性表态了新NAND Flash产品的发展规划。其中,三星表态推出136层堆叠的第6代V-NAND Flash,SK海力士则是表态成功开发出128层堆叠的4D NAND Flash,并可能性进入量产阶段。

不过,真是两家厂商竞相推出NAND Flash的新产品,但会 堆叠技术的发展至今仍未到达极限。什么都有有,SK海力士日前在一场会议上就表态了公司的规划,预计在20300年推出30000+层的NAND Flash,届时将可轻松打发明的故事3000到3000TB容量的SSD。

在日前举行的“Flash Memory Summit”大会上,SK海力士表态旗下新产品的规划以及公司的相关布局。根据内容指出,目前SK海力士正在开发128层堆叠的4D NAND Flash,其量产时间将落在2019年第4季。

另外,SK海力士还展示了一款“PE3000300”的全新SSD,采用PCIe 4.0×4介面连接,提供了30000GB、13000GB、33000GB、6300GB容量,连续读写下行传输速率 最高可达63000MB/s、33000MB/s,而4KB随机读写最高可达93000K IOPS、2300K IOPS。

在研发发展方面,目前SK海力士正在研发176层NAND Flash,而有些产品的发展,包括72层堆叠的4D NAND Flash目前在大规模量产中,96层堆叠的4D NAND Flash目前也在大规模量产中,但会 未来产能即将超越72层堆叠的4D NAND Flash。

128层堆叠的4D NAND Flash将于2019年第4季量产,176层堆叠产品2020年问世、30000层堆叠产品则将于2025年问世,其TB/wafer容量比将可提升300%。而30000+堆叠的4D NAND Flash则是预计20300年问世,TB/wafer容量比提升到3000到3000TB的大小。

据了解,目前SK海力士生产的128层堆叠NAND Flash核心容量是1Tbit,176层堆叠的核心容量则是来到1.38Tbit,预计30000层堆叠时核心容量可达3.9Tbit,到30000层堆叠时则会高达6.25Tbit,是现在的6倍多。

若以当前SSD固态硬盘的容量计算,目前最大容量约在15到16TB左右。而依照6倍核心容量的成长幅度来计算,未来SSD容量可达3000TB左右,你是什么容量要比当前的HDD需用更大。

文章来源:驱动之家

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